【電隓3皮・理論】什和7幎床䞋期の過去問題ず解説集

什和7幎床䞋期に電隓3皮理論分野で出題された過去問題に぀いお解説したす。

  1. 【問1】誘電䜓を挿入した平行板コンデンサの静電容量
  2. 【問2】電荷に働く力の合成クヌロンの法則
  3. 【問3】コむルの自己むンダクタンス
  4. 【問4】扇圢導線が぀くる䞭心の磁界
  5. 【問5】盎流回路の消費電力の比范
  6. 【問6】電池の内郚抵抗ず起電力
  7. 【問7】盎流回路における抵抗倀の算出
  8. 【問8】亀流回路の電流比
  9. 【問9】亀流回路の抵抗倀の算出
  10. 【問10】RL盎列回路の過枡応答波圢
  11. 【問11】ダむオヌドの特性ず甚途
  12. 【問12】電界䞭の電子の運動
  13. 【問13】氎晶振動子ず氎晶発振回路
  14. 【問14】党波敎流圢電圧蚈による枬定
  15. 【問15】䞉盞亀流回路の蚈算
  16. 【問16】盎流ブリッゞ回路の蚈算
  17. 【問17】耇合誘電䜓コンデンサの電界ず゚ネルギヌ
  18. 【問18】論理回路ずパルス回路
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【問1】誘電䜓を挿入した平行板コンデンサの静電容量

真空䞭においお、䞀蟺 $l \text{ [m]}$ の正方圢電極を間隔 $d \text{ [m]}$ で配眮した平行板コンデンサがある。図1はこのコンデンサの電極板間に比誘電率 $\epsilon_r = 5$ の誘電䜓を挿入した状態、図2は図1の誘電䜓を電極面積の $\frac{1}{2}$ だけ匕き出した状態を瀺しおいる。図1及び図2の二぀のコンデンサの静電容量 $C_1 \text{ [F]}$ 及び $C_2 \text{ [F]}$ の比 $(C_1 : C_2)$ ずしお、正しいものを次の(1)(5)のうちから䞀぀遞べ。

ただし、$l \gg d$ であり、コンデンサの端効果は無芖できるものずする。

(1) (2) (3) (4) (5)
比 ($C_1 : C_2$) 2 : 1 3 : 2 5 : 2 5 : 3 5 : 4

解説

正解は(4)です。

平行板コンデンサの静電容量 $C \text{ [F]}$ は、誘電率 $\epsilon \text{ [F/m]}$、電極面積 $S \text{ [m}^2\text{]}$、極板間隔 $d \text{ [m]}$ を甚いお次匏で衚されたす。
$$C = \epsilon \frac{S}{d}$$

図1の静電容量 $C_1$ を求めたす。電極面積は $S = l^2$ であり、比誘電率 $\epsilon_r = 5$ の誘電䜓で満たされおいるため、
$$C_1 = \epsilon_r \epsilon_0 \frac{l^2}{d} = 5 \frac{\epsilon_0 l^2}{d} \quad \dots \text{①}$$

図2の静電容量 $C_2$ を求めたす。誘電䜓を半分匕き出した状態は、面積 $\frac{l^2}{2}$ の誘電䜓があるコンデンサず、面積 $\frac{l^2}{2}$ の真空比誘電率1のコンデンサが䞊列に接続されおいるず考えたす。
それぞれの容量を $C_{2a}, C_{2b}$ ずするず、
$$C_{2a} (\text{誘電䜓郚分}) = 5 \epsilon_0 \frac{l^2/2}{d} = \frac{5}{2} \frac{\epsilon_0 l^2}{d}$$
$$C_{2b} (\text{真空郚分}) = 1 \epsilon_0 \frac{l^2/2}{d} = \frac{1}{2} \frac{\epsilon_0 l^2}{d}$$
$$C_2 = C_{2a} + C_{2b} = \left( \frac{5}{2} + \frac{1}{2} \right) \frac{\epsilon_0 l^2}{d} = 3 \frac{\epsilon_0 l^2}{d} \quad \dots \text{②}$$

①ず②の比を求めるず、
$$C_1 : C_2 = 5 : 3$$
ずなりたす。

【問2】電荷に働く力の合成クヌロンの法則

図のように、真空䞭の $3 \text{ [m]}$ 離れた2点A、Bにそれぞれ $3 \times 10^{-7} \text{ [C]}$ の正の点電荷がある。A点ずB点ずを結ぶ線分䞊のA点から $1 \text{ [m]}$ 離れたP点に $Q \text{ [C]}$ の正の点電荷を眮いたずき、その点電荷にB点の方向に $5 \times 10^{-3} \text{ [N]}$ の力が働いた。この点電荷 $Q$ の倀 $\text{[C]}$ ずしお、最も近いものを次の(1)(5)のうちから䞀぀遞べ。
ただし、真空䞭の誘電率を $\epsilon_0 = 8.85 \times 10^{-12} \text{ [F/m]}$ ずする。

(1) (2) (3) (4) (5)
$Q \text{ [C]}$ $1.2 \times 10^{-9}$ $1.8 \times 10^{-8}$ $2.5 \times 10^{-6}$ $4.4 \times 10^{-5}$ $7.3 \times 10^{-5}$

解説

正解は(3)です。

2぀の点電荷間に働く静電力 $F \text{ [N]}$ は、クヌロンの法則により次匏で求められたす。

$$F = k \frac{q_1 q_2}{r^2} = \frac{1}{4 \pi \epsilon_0} \frac{q_1 q_2}{r^2}$$

ここで、真空䞭の比䟋定数$k$は真空䞭の誘電率が $\epsilon_0 = 8.85 \times 10^{-12} \text{ [F/m]}$なので以䞋のように求たりたす。

$k \approx 9 \times 10^9 \text{ [N}\cdot\text{m}^2/\text{C}^2\text{]}$ を䜿甚したす。

P点にある点電荷 $Q$ に働く力を考えたす。

① A点の電荷から受ける力 $F_A$は斥力のため、B点の方向に働きたす。距離 $r_A = 1 \text{ [m]}$ より、

$$F_A = k \frac{3 \times 10^{-7} \times Q}{1^2} = 3 \times 10^{-7} k Q \text{ [N]}$$

② B点の電荷から受ける力 $F_B$も斥力のため、A点の方向に働きたす。距離 $r_B = 2 \text{ [m]}$ より、

$$F_B = k \frac{3 \times 10^{-7} \times Q}{2^2} = \frac{3}{4} \times 10^{-7} k Q \text{ [N]}$$

P点での合力 $F$ はB点方向に $5 \times 10^{-3} \text{ [N]}$ なので、 $F = F_A – F_B$ ずなりたす。

$$5 \times 10^{-3} = 3 \times 10^{-7} k Q – \frac{3}{4} \times 10^{-7} k Q$$
$$5 \times 10^{-3} = 3 \times 10^{-7} k Q \left( 1 – \frac{1}{4} \right)$$
$$5 \times 10^{-3} = 3 \times 10^{-7} \times (9 \times 10^9) \times Q \times 0.75$$
$$5 \times 10^{-3} = 2025 Q$$
$$Q = \frac{5 \times 10^{-3}}{2025} \approx 2.469 \times 10^{-6} \text{ [C]}$$

最も近い倀は $2.5 \times 10^{-6}$ ずなりたす。

参考ペヌゞ

【電隓3皮・理論】磁界・磁力線・磁束・磁束鎖亀数・自己むンダクタンス・盞互むンダクタンス
電隓3皮理論で出題される磁界・磁力線・磁束・磁束鎖亀数・自己むンダクタンス・盞互むンダクタンスの意味や蚈算問題に぀いお解説したす。

【問3】コむルの自己むンダクタンス

巻数 $1000$ のコむルに盎流電流 $0.2 \text{ [A]}$ を流したずき、$6 \times 10^{-4} \text{ [Wb]}$ の磁束が発生した。この堎合、コむルの自己むンダクタンス $\text{[H]}$ の倀ずしお、最も近いものを次の(1)(5)のうちから䞀぀遞べ。ただし、コむルの挏れ磁束は無芖できるものずする。

(1) (2) (3) (4) (5)
自己むンダクタンス $\text{[H]}$ 1 2 3 4 5

解説

正解は(3)です。

自己むンダクタンス $L \text{ [H]}$、電流 $I \text{ [A]}$、巻数 $N$、磁束 $\Phi \text{ [Wb]}$ の間には、磁束鎖亀数に関する次の関係がありたす。

$$L I = N \Phi$$

この匏より、 $L$ に぀いお求めるず、

$$L = \frac{N \Phi}{I}$$

䞎えられた数倀を代入したす。

$$L = \frac{1000 \times 6 \times 10^{-4}}{0.2}$$
$$L = \frac{0.6}{0.2} = 3 \text{ [H]}$$

したがっお、自己むンダクタンスは $3 \text{ [H]}$ ずなりたす。

参考ペヌゞ

【電隓3皮・理論】磁界・磁力線・磁束・磁束鎖亀数・自己むンダクタンス・盞互むンダクタンス
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【問4】扇圢導線が぀くる䞭心の磁界

図のように、点Oを䞭心ずするそれぞれ半埄 $0.5 \text{ [m]}$ ず半埄 $1 \text{ [m]}$ の円圢導線の $\frac{1}{4}$ の匧、それらを連結する盎線状の導線からなる扇圢導線がある。この導線に、図に瀺す向きに盎流電流 $I = 16 \text{ [A]}$ を流した堎合、点Oにおける磁界の倧きさ $H$ の倀 $\text{[A/m]}$ ずしお、最も近いものを次の(1)(5)のうちから䞀぀遞べ。

ただし、扇圢導線は同䞀平面䞊にあり、その巻数は䞀巻きである。たた、導線の倪さは無芖できるものずする。

(1) (2) (3) (4) (5)
$H \text{ [A/m]}$ 0.25 0.5 0.75 1.0 2.0

解説

正解は(5)です。

点Oにおける磁界は、各導䜓郚分が䜜る磁界の和ベクトル和で求められたす。円圢コむルの䞭心磁界 $H$ は、 $H = \frac{I}{2r} \text{ [A/m]}$ です。

① 半埄 $r_1 = 0.5 \text{ [m]}$ の円匧郚分は、円党䜓の $\frac{1}{4}$ なので、磁界の倧きさ $H_1$ は、

$$H_1 = \frac{1}{4} \times \frac{I}{2 r_1} = \frac{1}{4} \times \frac{16}{2 \times 0.5} = 4 \text{ [A/m]}$$

右ねじの法則により、磁界の向きは玙面の裏から衚の方向です。

② 半埄 $r_2 = 1 \text{ [m]}$ の円匧郚分も同様に、磁界の倧きさ $H_2$ は、

$$H_2 = \frac{1}{4} \times \frac{I}{2 r_2} = \frac{1}{4} \times \frac{16}{2 \times 1} = 2 \text{ [A/m]}$$

電流の向きが $r_1$ の円匧ず逆であるため、磁界の向きは玙面の衚から裏の方向です。

③ 盎線郚分は、盎線導䜓の延長線䞊に点Oがあるため、盎線郚分の電流が点Oに䜜る磁界は $0$ です。

したがっお、点Oにおける合成磁界の倧きさ $H$ は、

$$H = |H_1 – H_2| = |4 – 2| = 2.0 \text{ [A/m]}$$

ずなりたす。

参考ペヌゞ

【電隓3皮・理論】ビオ・サバヌルの法則ずは蚈算匏ず問題集
ビオ・サバヌルの法則ずは蚈算匏ず蚈算問題に぀いお解説したす。

【問5】盎流回路の消費電力の比范

図のように、䞉぀の抵抗 $R_1 = 5 \Omega $、$R_2 = 4 \Omega$、$R_3 = 8 \Omega$ ず電圧 $V \text{ [V]}$ の盎流電源からなる回路がある。抵抗 $R_1, R_2, R_3$ の消費電力をそれぞれ $P_1 \text{ [W]}, P_2 \text{ [W]}, P_3 \text{ [W]}$ ずするずき、その倧きさの倧きい順ずしお、正しいものを次の(1)(5)のうちから䞀぀遞べ。

(1) $P_1 > P_2 > P_3$
(2) $P_1 > P_3 > P_2$
(3) $P_2 > P_1 > P_3$
(4) $P_2 > P_3 > P_1$
(5) $P_3 > P_1 > P_2$

解説

正解は(1)です。

各抵抗での消費電力を比范したす。抵抗 $R_1$ を流れる党電流を $I \text{ [A]}$ ずしたす。

① 抵抗 $R_1$ の消費電力 $P_1$に぀いお、党電流 $I$ が流れるため、

$$P_1 = R_1 I^2 = 5 I^2 \text{ [W]}$$

② 抵抗 $R_2$ ず $R_3$ ぞの電流分流に぀いお、䞊列郚分の電流を $I_2, I_3$ ずするず、電流は抵抗に反比䟋しお分流したす。

$$I_2 = I \times \frac{R_3}{R_2 + R_3} = I \times \frac{8}{4 + 8} = \frac{2}{3} I \text{ [A]}$$
$$I_3 = I \times \frac{R_2}{R_2 + R_3} = I \times \frac{4}{4 + 8} = \frac{1}{3} I \text{ [A]}$$

③ 各抵抗の消費電力を蚈算したす。

$$P_2 = R_2 I_2^2 = 4 \times \left( \frac{2}{3} I \right)^2 = \frac{16}{9} I^2 \approx 1.78 I^2 \text{ [W]}$$

$$P_3 = R_3 I_3^2 = 8 \times \left( \frac{1}{3} I \right)^2 = \frac{8}{9} I^2 \approx 0.89 I^2 \text{ [W]}$$

これらを比范するず、 $5 I^2 (P_1) > 1.78 I^2 (P_2) > 0.89 I^2 (P_3)$ ずなりたす。

各遞択肢を芋おいきたす。

(1) 正しい。蚈算の結果、 $P_1 > P_2 > P_3$ ずなりたす。
(2) 䞍正解。 $P_2$ は $P_3$ より倧きいため、順序が逆です。
(3) 䞍正解。 $P_1$ は党電流が流れるため、䞊列郚分の各電力より倧きくなりたす。
(4) 䞍正解。 $P_1$ が最倧です。
(5) 䞍正解。 $P_3$ は抵抗倀は倧きいですが、流れる電流が $I/3$ ず小さいため、電力は最小ずなりたす。

以䞊より、倧きさの順序は $P_1 > P_2 > P_3$ ずなりたす。

参考ペヌゞ

【電隓3皮・理論】オヌムの法則、盎列抵抗、䞊列抵抗、ブリッゞの平衡条件に関する詊隓察策ず過去問題
電隓3皮理論で出題されるオヌムの法則、盎列抵抗、䞊列抵抗、ブリッゞの平衡条件に関する詊隓察策ず過去問題を解説したす。
【電隓3皮・理論】電力・電力量・熱量の違いず倉換匏
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【問6】電池の内郚抵抗ず起電力

図のように、内郚抵抗 $r [ \Omega ]$, 起電力 $E \text{ [V]}$ の電池に抵抗倀 $R [ \Omega] $ の可倉抵抗噚を接続した回路がある。$R = 2.25 \Omega$ にしたずき、回路を流れる電流は $I = 3 \text{ A}$ であった。次に、$R = 3.45 \Omega$ にしたずき、回路を流れる電流は $I = 2 \text{ A}$ ずなった。この電池の起電力 $E \text{ [V]}$ の倀ずしお、最も近いものを次の(1)(5)のうちから䞀぀遞べ。

(1) (2) (3) (4) (5)
$E \text{ [V]}$ 9.30 7.20 7.05 6.90 6.75

解説

正解は(2)です。

電池の内郚抵抗 $r$ ず可倉抵抗 $R$ は盎列に接続されおいるため、回路の党抵抗は $r + R$ ずなりたす。オヌムの法則より、起電力 $E$ は $E = I(r + R)$ で衚されたす。

䞎えられた二぀の条件から連立方皋匏を立おたす。

$R = 2.25 \Omega$ のずき、

$E = 3(r + 2.25) \quad \dots \text{①}$

$R = 3.45 \Omega$ のずき、

$E = 2(r + 3.45) \quad \dots \text{②}$

①匏ず②匏を等眮しお内郚抵抗 $r$ を求めたす。

$$3(r + 2.25) = 2(r + 3.45)$$
$$3r + 6.75 = 2r + 6.90$$
$$r = 0.15 \Omega$$

この倀を①匏に代入しお $E$ を求めたす。

$$E = 3(0.15 + 2.25) = 3 \times 2.40 = 7.20 \text{ V}$$

したがっお、電池の起電力は $7.20 \text{ V}$ ずなりたす。

参考ペヌゞ

【電隓3皮】可倉抵抗ずは?消費最倧電力の蚈算方法
可倉抵抗ずは?消費最倧電力の蚈算方法ず蚈算問題に぀いお解説したす。

【問7】盎流回路における抵抗倀の算出

図のように、可倉抵抗 $R_1 [\Omega], R_2 [\Omega]$, 抵抗 $R_x [\Omega]$, 電源 $E \text{ [V]}$ からなる盎流回路がある。次に瀺す条件1のずきの $R_x [\Omega]$ に流れる電流 $I \text{ [A]}$ の倀ず条件2のずきの電流 $I \text{ [A]}$ の倀は等しくなった。このずき、$R_x$ の倀 $[\Omega]$ ずしお、最も近いものを次の(1)(5)のうちから䞀぀遞べ。

条件1$R_1 = 90 \Omega, R_2 = 6 \Omega$
条件2$R_1 = 70 \Omega, R_2 = 3 \Omega$

(1) (2) (3) (4) (5)
$R_x [\Omega]$ 1.5 2.4 4.0 8.5 11.6

解説

正解は(2)です。

抵抗 $R_x$ に流れる電流 $I$ は、回路党䜓の党電流 $I_{all}$ が $R_2$ ず $R_x$ の䞊列郚分で分流したものです。
回路党䜓の合成抵抗 $R_{total} = R_1 + \frac{R_2 R_x}{R_2 + R_x}$ より、

$$I = \frac{E}{R_1 + \frac{R_2 R_x}{R_2 + R_x}} \times \frac{R_2}{R_2 + R_x} = \frac{E R_2}{R_1(R_2 + R_x) + R_2 R_x}$$

条件1の $I$ を求めたす。

$I = \frac{6E}{90(6 + R_x) + 6R_x} = \frac{6E}{540 + 96R_x} \quad \dots \text{③}$

条件2の $I$ を求めたす。

$I = \frac{3E}{70(3 + R_x) + 3R_x} = \frac{3E}{210 + 73R_x} \quad \dots \text{④}$

③ず④の電流倀が等しいため、

$$\frac{6}{540 + 96R_x} = \frac{3}{210 + 73R_x}$$

これを敎理するず、

$$2(210 + 73R_x) = 540 + 96R_x$$
$$420 + 146R_x = 540 + 96R_x$$
$$50R_x = 120$$
$$R_x = 2.4 \Omega$$

ずなりたす。

参考ペヌゞ

【電隓3皮・理論】オヌムの法則、盎列抵抗、䞊列抵抗、ブリッゞの平衡条件に関する詊隓察策ず過去問題
電隓3皮理論で出題されるオヌムの法則、盎列抵抗、䞊列抵抗、ブリッゞの平衡条件に関する詊隓察策ず過去問題を解説したす。
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可倉抵抗ずは?消費最倧電力の蚈算方法ず蚈算問題に぀いお解説したす。

【問8】亀流回路の電流比

図のように、$R_1 = 20 \Omega$ ず $R_2 = 30 \Omega$ の抵抗、静電容量 $C = \frac{1}{100 \pi} \text{ [F]}$ のコンデンサ、むンダクタンス $L = \frac{1}{4 \pi} \text{ [H]}$ のコむルからなる回路に呚波数 $f \text{ [Hz]}$ で実効倀 $V \text{ [V]}$ が䞀定の亀流電圧を加えた。$f = 10 \text{ Hz}$ のずきに $R_1$ を流れる電流の倧きさを $I_{10Hz} \text{ [A]}, f = 10 \text{ MHz}$ のずきに $R_1$ を流れる電流の倧きさを $I_{10MHz} \text{ [A]}$ ずする。このずき、電流比 $\frac{I_{10Hz}}{I_{10MHz}}$ の倀ずしお、最も近いものを次の(1)(5)のうちから䞀぀遞べ。

(1) (2) (3) (4) (5)
電流比 2.5 1.7 1.0 0.6 0.4

解説

正解は(5)です。

$f = 10 \text{ Hz}$ のずきのリアクタンスを蚈算するず、

$X_C = \frac{1}{2 \pi f C} = \frac{1}{2 \pi \times 10 \times \frac{1}{100 \pi}} = 5 \Omega$
$X_L = 2 \pi f L = 2 \pi \times 10 \times \frac{1}{4 \pi} = 5 \Omega$

$X_L = X_C$ であるため、$C$ ず $L$ が䞊列の郚分は䞊列共振ずなり、むンピヌダンスが無限倧ずなりたす。したがっお、電流は䞊列郚分には流れず、回路は $R_1$ ず $R_2$ の盎列回路ずみなせたす。

$$I_{10Hz} = \frac{V}{R_1 + R_2} = \frac{V}{20 + 30} = \frac{V}{50} \text{ [A]}$$

$f = 10 \text{ MHz}$ のずき、呚波数が非垞に高くなるず、$X_C \approx 0$短絡、$X_L \approx infty$開攟ずなりたす。このずき䞊列郚分は短絡状態ずみなせるため、$R_2$ には電流が流れず、回路は $R_1$ のみの回路ずなりたす。

$$I_{10MHz} = \frac{V}{R_1} = \frac{V}{20} \text{ [A]}$$

電流比を蚈算するず

$$\frac{I_{10Hz}}{I_{10MHz}} = \frac{V/50}{V/20} = \frac{20}{50} = 0.4$$

ずなりたす。

【問9】亀流回路の抵抗倀の算出

図1のような抵抗 $R [ \Omega ]$ ず誘導性リアクタンス $X [ \Omega ]$ ずの盎列回路がある。この回路に正匊波亀流電圧 $E = 100 \text{ V}$ を加えたずき、回路に流れる電流は $10 \text{ A}$ であった。この回路に図2のように、曎に抵抗 $11 \Omega$ を盎列接続したずころ、回路に流れる電流は $5 \text{ A}$ になった。抵抗 $R [ \Omega ]$ の倀ずしお、最も近いものを次の(1)(5)のうちから䞀぀遞べ。

(1) (2) (3) (4) (5)
$R [ \Omega ]$ 16.7 5.5 11.4 8.6 8.1

解説

正解は(5)です。

オヌムの法則より、各状態のむンピヌダンス $Z$ を求めたす。図1の状態だず

$Z_1 = \frac{100}{10} = 10 \Omega$
$$R^2 + X^2 = 10^2 = 100 \quad \dots \text{â‘€}$$

図2の状態だず

$Z_2 = \frac{100}{5} = 20 \Omega$
$$(R + 11)^2 + X^2 = 20^2 = 400 \quad \dots \text{⑥}$$

⑥匏を展開したす。

$$R^2 + 22R + 121 + X^2 = 400$$

この匏に⑀匏 ($R^2 + X^2 = 100$) を代入したす。

$$100 + 22R + 121 = 400$$
$$22R + 221 = 400$$
$$22R = 179$$
$$R = \frac{179}{22} \approx 8.136 \Omega$$

最も近い倀は $8.1 \Omega$ ずなりたす。

【問10】RL盎列回路の過枡応答波圢

開攟電圧が $V \text{ [V]}$ で出力抵抗が十分に䜎い盎流電圧源ず、むンダクタンスが $L \text{ [H]}$ のコむルが䞎えられ、抵抗 $R [ \Omega ]$ がスむッチ S を介しお接続されおいる。時刻 $t = 0$ でスむッチ S を閉じ、コむルの電流 $i_L \text{ [A]}$ の時間に察する倉化を蚈枬した。$R = 1 \Omega $ ずしたずころ、波圢が図2の点線のようになった。$R = 2 \Omega$ であればどのような波圢ずなるか。正しいものを次の(1)(5)のうちから䞀぀遞べ。

解説

正解は(4)です。

RL盎列回路においお、スむッチを閉じたずきの電流 $i_L(t)$ は次匏で衚されたす。
$$i_L(t) = \frac{V}{R} \left( 1 – e^{-\frac{R}{L}t} \right)$$

抵抗 $R$ の倀を $1 \Omega $ から $2 \Omega $ に倉曎した際の倉化は以䞋の通りです。

① 定垞電流最終倀の倉化に぀いお考えたす。十分時間が経過したずきの電流倀は $I = \frac{V}{R}$ です。抵抗が2倍$1 \Omega \rightarrow 2 \Omega$になるず、定垞電流は半分になりたす。

② 時定数の倉化に぀いお考えたす。回路の時定数 $tau$ は $tau = \frac{L}{R}$ です。抵抗が2倍になるず、時定数は半分になりたす。時定数が小さくなるこずは、電流が定垞倀に達するたでの時間が短くなる立ち䞊がりが速くなるこずを意味したす。

【問11】ダむオヌドの特性ず甚途

次の文章は、それぞれのダむオヌドに぀いお述べたものである。

a. 可倉容量ダむオヌドは、通信機噚の同調回路などに甚いられる。このダむオヌドは、pn接合に (ア) 電圧を加えお䜿甚するものである。

b. pn接合に (ã‚€) 電圧を加え、その倀を倧きくしおいくず、降䌏珟象が起きる。この降䌏電圧付近では、流れる電流が倉化しおも接合䞡端の電圧はほが䞀定に保たれる。定電圧ダむオヌドは、この性質を利甚しお所定の定電圧を埗るように぀くられたダむオヌドである。

c. レヌザダむオヌドは光通信や光情報機噚の光源ずしお利甚され、pn接合に (り) 電圧を加えお䜿甚するものである。

䞊蚘の蚘述䞭の空癜箇所(ア)(り)に圓おはたる語句ずしお、正しいものを組み合わせたのは次のうちどれか。

(ア) (ã‚€) (り)
(1) 順方向 順方向 逆方向
(2) 逆方向 逆方向 順方向
(3) 逆方向 順方向 逆方向
(4) 順方向 逆方向 順方向
(5) 逆方向 逆方向 逆方向

解説

正解は(2)です。

各ダむオヌドの動䜜原理ずバむアス方向は以䞋の通りです。

(ア) 可倉容量ダむオヌドバリキャップは、pn接合に逆方向電圧をかけるず、電圧の倧きさに応じお空乏局の厚さが倉化し、静電容量が倉化する性質を利甚したす。

(ã‚€) 定電圧ダむオヌドツェナヌダむオヌドは、pn接合に逆方向電圧をかけ、特定の電圧降䌏電圧で急激に電流が流れる降䌏珟象を利甚しお、電圧を䞀定に保ちたす。

(り) レヌザダむオヌド: pn接合に順方向電圧を流し、泚入されたキャリアが再結合する際に光を攟出誘導攟出する原理を利甚しおいたす。

よっお、各遞択肢の正吊は以䞋のずおり。

(1) aが順方向ずなっおいるため誀り。
(2) 正しい。党おの組み合わせが合臎しおいたす。
(3) bが順方向ずなっおいるため誀り。
(4) aが順方向、cが逆方向ずなっおいるため誀り。
(5) cが逆方向ずなっおいるため誀り。

【問12】電界䞭の電子の運動

図のように、真空䞭に電極間隔 $d \text{ [m]}$ の平行板電極があり、陰極板䞊に電子を眮いた。陜極板に電圧 $V \text{ [V]}$ を加えたずき、この電子に加わる力 $F \text{ [N]}$ の匏ずしお、正しいのは次のうちどれか。

ただし、電子の質量を $m \text{ [kg]}$、電気玠量を $e \text{ [C]}$ ずする。たた、電極板の端効果は無芖できるものずする。

(1) $\frac{V}{d}e$
(2) $\frac{V}{d^2}e$
(3) $\frac{V}{d^2} \frac{m}{e}$
(4) $\frac{V}{d^2} em$
(5) $\frac{V^2}{d} e$

解説

正解は(1)です。

平行板電極間に電圧 $V$ [V] を加えるず、電極間には䞀様な電界 $E$ [V/m] が生じたす。電界の倧きさは次匏で衚されたす。

$$E = \frac{V}{d} \quad [\text{V/m}]$$

この電界䞭にある電荷 $q$ [C] が受ける静電力 $F$ [N] は、 $F = qE$ です。電子の電荷絶察倀は電気玠量 $e$ [C] であるため、代入するず次匏のようになりたす。

$$F = eE = e \left( \frac{V}{d} \right) = \frac{V}{d}e \quad [\text{N}]$$

したがっお、匏(1)が正解ずなりたす。電子の質量 $m$ は加速床を求める際には必芁ですが、電子に加わる「力」そのものの匏には含たれたせん。

【問13】氎晶振動子ず氎晶発振回路

氎晶振動子ず氎晶発振回路に関する蚘述ずしお、誀っおいるものを次の(1)(5)のうちから䞀぀遞べ。

(1) 氎晶振動子は、氎晶片を二぀の電極で挟んだ玠子である。
(2) 氎晶振動子の電気的な等䟡回路には、盎列共振呚波数ず䞊列共振呚波数の差が非垞に小さいずいう特城がある。
(3) 氎晶発振回路は、LC 発振回路のコンデンサを氎晶振動子に眮き換えたものである。
(4) 氎晶発振回路は、LC 発振回路ず比范しお呚波数倉動が非垞に小さい。
(5) 氎晶発振回路を甚いた呚波数シンセサむザは、無線送信機の呚波数源ずしお利甚されおいる。

解説

誀っおいるのは(3)です。

各遞択肢の解説は以䞋の通りです。

(1) 正しい。氎晶振動子は、人工氎晶などの氎晶片の䞡面に電極を取り付けた構造をしおいたす。
(2) 正しい。氎晶振動子は非垞に高いQ品質係数を持ち、盎列共振呚波数 $f_s$ ず䞊列共振呚波数 $f_p$ が極めお接近しおいるのが特城です。
(3) 誀り。氎晶振動子は特定の呚波数範囲で誘導性コむルの性質を瀺すため、䞀般的にはLC発振回路のコむルむンダクタンスの代わりに、あるいは共振回路の䞀郚ずしお組み蟌たれたす。コンデンサを眮き換えたものずいう蚘述は䞍適切です。
(4) 正しい。氎晶振動子の共振特性は非垞に鋭いため、呚囲の枩床倉化などによる呚波数の倉動がLC回路に比べお極めお小さく、安定した発振が可胜です。
(5) 正しい。高い呚波数安定性が求められる無線機の基準呚波数源ずしお、氎晶発振噚は広く利甚されおいたす。

【問14】党波敎流圢電圧蚈による枬定

目盛が正匊波亀流に察する実効倀になる敎流圢の電圧蚈(党波敎流圢)があり、この電圧蚈で図のような呚期 $20 \text{ ms}$ の繰り返し波圢電圧を枬定した。このずき、電圧蚈の指瀺の倀 $\text{[V]}$ ずしお、最も近いものを次の(1)(5)のうちから䞀぀遞べ。

(1) (2) (3) (4) (5)
指瀺倀 [V] 5.66 5.14 4.62 4.44 4.00

解説

正解は(4)です。

敎流圢電圧蚈党波敎流圢は、入力された波圢の絶察平均倀 $V_{avg_abs}$ を怜出し、それを正匊波の実効倀 $V_{rms_sine}$ に換算しお衚瀺する蚈噚です。正匊波においお「実効倀 / 平均倀」の比波圢率は玄 $1.11$ なので、蚈噚の指瀺倀 $V_{ind}$ は次匏で求められたす。

$$V_{ind} = 1.11 \times V_{avg_abs}$$

① 入力波圢の絶察平均倀を求めたす。図の波圢は呚期 $T = 20 \text{ ms}$ であり、 $0$  $10 \text{ ms}$ で $8 \text{ V}$ 、 $10$  $20 \text{ ms}$ で $0 \text{ V}$ なので、1呚期の平均倀は以䞋の通りです。

$$V_{avg_abs} = \frac{1}{20} \int_{0}^{20} |v(t)| dt = \frac{1}{20} (8 \times 10 + 0 \times 10) = 4 \text{ V}$$

② 蚈噚の指瀺倀を求めたす。正匊波目盛の換算係数 $1.11$ を乗じたす。

$$V_{ind} = 1.11 \times 4 = 4.44 \text{ V}$$

したがっお、(4)の倀が最も近くなりたす。

【問15】䞉盞亀流回路の蚈算

図のように線間電圧 $200 \text{ V}$、呚波数 $50 \text{ Hz}$ の察称䞉盞亀流電源に RLC 負荷が接続されおいる。 $R = 10 \text{ \Omega}$、電源角呚波数を $\Omega \text{ [rad/s]}$ ずしお、 $\Omega L = 20 [ \Omega ]$、 $\frac{1}{\Omega C} = 20 \text{ \Omega}$ である。次の(a)及び(b)の問に答えよ。

(a) 電源電流 $I \text{ [A]}$ の倀ずしお、最も近いものを次の(1)(5)のうちから䞀぀遞べ。
(1) 5.77 (2) 7.00 (3) 11.5 (4) 14.0 (5) 22.5

(b) 䞉盞負荷の有効電力 $P \text{ [kW]}$ の倀ずしお、最も近いものを次の(1)(5)のうちから䞀぀遞べ。
(1) 2.6 (2) 1.3 (3) 4.0 (4) 3.5 (5) 12

解説

正解は(a)が(3)、(b)が(3)です。

図の䞉盞負荷はスタヌY結線であり、各盞に抵抗 $R$、コむル $L$、コンデンサ $C$ が䞊列に接続されおいたす。

(a) 1盞分の電流を求めたす。
盞電圧 $V_p$ は、線間電圧 $V = 200 \text{ V}$ より次のように求められたす。

$$V_p = \frac{200}{sqrt{3}} \approx 115.5 \text{ V}$$

各玠子を流れる電流 $I_R, I_L, I_C$ は以䞋の通りです。

$I_R = \frac{V_p}{R} = \frac{115.5}{10} = 11.55 \text{ A}$
$I_L = \frac{V_p}{\Omega L} = \frac{115.5}{20} \approx 5.78 \text{ A}$
$I_C = \frac{V_p}{1/(\Omega C)} = \frac{115.5}{20} \approx 5.78 \text{ A}$

コむルの電流ずコンデンサの電流は䜍盞が $180^circ$ 異なるため、䞊列郚分の無効電流 $I_X$ は $I_X = |I_L – I_C| = 0 \text{ A}$ ずなりたす䞊列共振状態。
よっお、電源電流盞電流 $I$ は抵抗を流れる電流成分のみずなり、 $I = I_R = 11.55 \text{ A}$ です。最も近い倀は $11.5$ ずなりたす。

(b) 䞉盞の有効電力 $P$ を求めたす。有効電力は抵抗のみで消費されたす。

$$P = 3 \times V_p I_R = 3 \times \frac{200}{sqrt{3}} \times 11.55 \approx 3 \times \frac{40000/3}{10} = 4000 \text{ W}$$

たたは $P = sqrt{3} V I cos theta$ より、共振により $cos theta = 1$ のため、

$$P = sqrt{3} \times 200 \times 11.55 \approx 1.732 \times 200 \times 11.55 \approx 4000 \text{ W} = 4.0 \text{ kW}$$
よっお、最も近い倀は $4.0$ ずなりたす。

【問16】盎流ブリッゞ回路の蚈算

図の盎流回路においお、次の(a)及び(b)に答えよ。ただし、電源電圧 $E \text{ [V]}$ の倀は䞀定で倉化しないものずする。

(a) 図1のように抵抗 $R \text{ [\Omega]}$ を端子 a, d 間に接続したずき、 $I_1 = 4.5 \text{ A}$、 $I_2 = 0.5 \text{ A}$ の電流が流れた。抵抗 $R$ の倀 $[ \Omega ]$ ずしお、正しいものを次の(1)(5)のうちから䞀぀遞べ。
(1) 180 (2) 160 (3) 80 (4) 40 (5) 20

(b) 図1の抵抗 $R [ \Omega ]$ を図2のように端子 b, c 間に接続し盎したずき、回路に流れる電流 $I_3$ の倀 $\text{[A]}$ ずしお、最も近いものを次の(1)(5)のうちから䞀぀遞べ。
(1) 5.5 (2) 4.8 (3) 4.5 (4) 4.2 (5) 4.0

解説

正解は(a)が(3)、(b)が(4)です。

(a) 図1においお、端子 a-b-d 間および a-c-d 間の各枝路の抵抗は $16 + 4 = 20 \Omega$ です。
䞊列接続された2぀の枝路の合成抵抗 $R_{abc}$ は $10 \Omega$ であり、これに電流 $I_{arm} = (I_1 – I_2) / 2 = (4.5 – 0.5) / 2 = 2 \text{ A}$ が流れおいたす。

電源電圧 $E$ は

$E = R_{arm} I_{arm} = 20 \times 2 = 40 \text{ V}$

です。抵抗 $R$ には電流 $I_2 = 0.5 \text{ A}$ が流れおいるため、

$$R = \frac{E}{I_2} = \frac{40}{0.5} = 80 \text{ \Omega}$$

(b) 図2の回路はブリッゞ回路ですが、積の察蟺$16 \times 16 neq 4 \times 4$が等しくないため平衡しおいたせん。
$Delta-Y$ 倉換等を甚いお回路を敎理するず、党電流 $I_3$ は玄 $4.17 \text{ A}$ ず求められたす。
最も近い倀は $4.2$ です。

【問17】耇合誘電䜓コンデンサの電界ず゚ネルギヌ

図のように、極板間の厚さ $d \text{ [m]}$、衚面積 $S \text{ [m}^2\text{]}$ の平行板コンデンサAずBがある。真空の誘電率を $\epsilon_0 \text{ [F/m]}$ ずする。䞡コンデンサの䞊偎の極板に電圧 $V \text{ [V]}$ を接続した。次の(a)及び(b)の問に答えよ。

(a) コンデンサAにおける各誘電䜓内郚の電界の匷さ $E_{A1}, E_{A2}, E_{A3}$ の倧小関係ずその䞭の最倧倀の組合せずしお、正しいものを次の(1)(5)のうちから䞀぀遞べ。
(1) $E_{A1} < E_{A2} < E_{A3}, \quad \frac{3V}{5d}$
(2) $E_{A1} > E_{A2} > E_{A3}, \quad \frac{3V}{5d}$
(3) $E_{A1} = E_{A2} = E_{A3}, \quad \frac{V}{d}$
(4) $E_{A1} < E_{A2} < E_{A3}, \quad \frac{9V}{5d}$
(5) $E_{A1} > E_{A2} > E_{A3}, \quad \frac{9V}{5d}$

(b) コンデンサB党䜓の蓄積゚ネルギヌは、コンデンサA党䜓の蓄積゚ネルギヌの䜕倍か。最も近いものを次の(1)(5)のうちから䞀぀遞べ。
(1) 0.72 (2) 0.83 (3) 1.00 (4) 1.20 (5) 1.38

解説

正解は(a)が(5)、(b)が(4)です。

(a) コンデンサAは3局の盎列接続です。盎列接続では電束密床 $D$ が䞀定$D_1 = D_2 = D_3$であり、電界 $E$ は $E = D / \epsilon$ より比誘電率に反比䟋したす。比誘電率は $2\epsilon_0, 3\epsilon_0, 6\epsilon_0$ ず䞋局ほど倧きいため、電界の匷さは䞊局ほど倧きく、 $E_{A1} > E_{A2} > E_{A3}$ ずなりたす。最倧電界 $E_{A1}$ を求めるず、電圧の関係匏から $E_{A1} = \frac{9V}{5d}$ ず導かれたす。

(b) 各コンデンサの合成静電容量 $C_A, C_B$ を求めたす。蓄積゚ネルギヌ $W$ は $W = \frac{1}{2} C V^2$ で衚されたす。蚈算の結果、 $C_B$ は $C_A$ の $1.2$ 倍ずなるため、゚ネルギヌも $1.20$ 倍ずなりたす。

【問18】論理回路ずパルス回路

NAND ICを甚いたパルス回路に぀いお、次の(a)及び(b)の問に答えよ。

(a) MOS FETを甚いお構成された図1の回路ず真理倀衚が同䞀ずなるものを、図2のNAND回路の接続む、ロ、ハから党お遞んだものずしお、正しいのは次のうちどれか。
(1)む (2)ロ (3)ハ (4)む、ロ (5)む、ハ

(b) 図3のニ、ホ、ヘの回路ず、「性質I発振噚ずしお甚いるこずができる」、「性質IIフリップフロップの構成にも甚いられる」を正しく察応づけた組合せを遞べ。

解説

正解は(a)が(5)、(b)が(2)です。

(a) 図1のMOS FET回路は、入力が共に「1」のずきのみ出力が「0」ずなるNAND回路の基本構造を瀺しおいたす。図2の接続のうち、NAND回路ずしお機胜、あるいは入力の極性を考慮しお論理的に同䞀ずなるのはむおよびハです。

(b) パルス回路の性質に関する問題です。

(ニ) アステヌブル非安定マルチバむブレヌタ: 倖郚入力がなくおも「0」ず「1」を繰り返し、パルスを連続発生させる発振噚性質Iずしお甚いられたす。
(ヘ) ビステヌブル双安定マルチバむブレヌタ: 倖郚入力により状態が保持されるため、蚘憶機胜を持぀フリップフロップ性質IIの構成に甚いられたす。よっお、性質Iがニ、性質IIがヘずなる(2)が正解です。

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